電源供給配線網（PDN）をシリコンダイの裏面に配置して電源をさらに安定化

微小なTSV（nano-TSV（nTSV））を介した裏面側配線と表面側配線の接続構造例。左は一般的な接続構造。右は裏面側配線（電源供給配線網（PDN））と埋め込み電源線（BPR）をnTSVで接続した構造。出典：imec（IEDM2020のチュートリアル講演「Innovative technology elements to enable CMOS scaling in 3nm and beyond - device architectures, parasitics and materials」の配布資料） （クリックで拡大）

微小なTSV（nano-TSV（nTSV））を介した裏面側配線と表面側配線の接続構造例。左は一般的な接続構造。右は裏面側配線（電源供給配線網（PDN））と埋め込み電源線（BPR）をnTSVで接続した構造。出典：imec（IEDM2020のチュートリアル講演「Innovative technology elements to enable CMOS scaling in 3nm and beyond - device architectures, parasitics and materials」の配布資料） （クリックで拡大）