東京大ら、低電圧で長寿命の強誘電体メモリを開発 作製したHZO薄膜強誘電体メモリのデータ書き換え特性(左)とデータ保持特性(右) (クリックで拡大) 出典:東京大学他 記事に戻る 馬本隆綱,EE Times Japan