産総研、SiCモノリシックパワーICの開発に成功 上図は開発したモノリシックパワーICの断面模式図、下図はエピ埋め込みチャネルの効果と耐電圧特性 (クリックで拡大) 出典:産総研 記事に戻る 馬本隆綱,EE Times Japan