176層3D NAND搭載SSDや1αnm LPDDR4Xの量産を開始

左=DDR5はDDR4に比べ、帯域幅が36%向上し、速度が約2倍になる。MicronのTEPには、100社以上の企業が参加している/右=MicronのDDR5のイメージ 出典:Micron Technology(クリックで拡大)

左=DDR5はDDR4に比べ、帯域幅が36%向上し、速度が約2倍になる。MicronのTEPには、100社以上の企業が参加している/右=MicronのDDR5のイメージ 出典:Micron Technology(クリックで拡大)