東京大ら、3次元集積可能なメモリデバイスを開発

左はIGZTOトランジスタとHfO2キャパシターを集積したメモリセルの顕微鏡写真。中央はメモリセルの書き込み／読み出し電流特性のゲート電圧依存性。右はメモリセルの書き込み／読み出し電流特性のキャパシター面積依存性 （クリックで拡大） 出典：東京大学他