東京大ら、3次元集積可能なメモリデバイスを開発

左は試作したIGZTOトランジスタのチャネル部の断面TEM像。中央はIGZTOトランジスタのドレイン電流−ゲート電圧特性。右はIGZTOトランジスタとIGZOトランジスタの実効移動度の比較 （クリックで拡大） 出典：東京大学他