Everspinが3世代にわたって開発してきたMRAM技術の変遷

Everspin Technologiesが開発してきたMRAMの技術世代。左から第1世代、第2世代、第3世代である。右端は第3世代の磁気トンネル接合（MTJ）の構造。上下電極層を除くと、11層とかなり多くの極薄層で構成される。出典：FMS 2020の講演「Technology Trend：NAND ＆ Emerging Memory」の配布資料（クリックで拡大）