ローム、GaN HEMTで8Vのゲート耐圧技術を開発 左はゲート・ソース定格電圧の比較。右は主なパワーデバイスの特性とその応用例 (クリックで拡大) 出典:ローム 記事に戻る 馬本隆綱,EE Times Japan