周辺回路とセルアレイを積層して3D NANDの密度をさらに高める 3D NANDフラッシュのシリコンダイ面積に占めるメモリセルアレイ領域の割合(セルアレイ効率)。周辺回路とメモリセルアレイを積層したダイでは、セルアレイ効率が高い。出典:FMS 2020の講演「Technology Trend:NAND & Emerging Memory」の配布資料(クリックで拡大) 記事に戻る 福田昭,EE Times Japan