次世代NANDフラッシュは176層とQLCでコストを大幅に削減

4ビット/セル(QLC)方式の多値記憶技術を採用した3D NANDフラッシュの動向。出典:FMS 2020の講演「Flash Memory Technologies and Costs Through 2025」の配布資料(クリックで拡大)

4ビット/セル(QLC)方式の多値記憶技術を採用した3D NANDフラッシュの動向。出典:FMS 2020の講演「Flash Memory Technologies and Costs Through 2025」の配布資料(クリックで拡大)