「ISSCC 2021」の注目論文、Samsungの3nm GAA SRAMなど

左＝不揮発メモリをテーマにした「Session 30」の注目論文／右＝その他、「メモリ」カテゴリーでの注目トピック。キオクシア／Western Digital連合からは、10.4Gビット/mm2と高密度のTLC（Triple Level Cell） 3D NANDフラッシュが報告される 出典：ISSCC ITPC Far East Regional Subcommittee（クリックで拡大）