ビアの位置ずれ不良を救う選択成長技術

レイアウト・パターンと実際のレジスト露光パターンにずれが生じる「EPE（Edge Placement Error）」の影響例。左は通常の多層配線構造。ビアの位置ずれによって隣接配線との短絡不良が生じている。右は選択成長技術によって絶縁膜を成長させて配線層の上面を狭くした構造。ビアの位置がずれても短絡不良は起きない。出典：Intel（クリックで拡大）