ビアの位置ずれ不良を救う選択成長技術

選択成長における欠陥の低減。絶縁膜あるいは金属膜の表面に自己組織化単分子（SAM：Self-Assembled Monolayer）膜を選択的に付着させる。SAM分子の先端（ヘッドグループ）が、絶縁膜あるいは金属膜だけと反応してSAM膜を形成する。下左は、金属膜だけにSAM膜が選択的に堆積した例。SAM膜をマスクとして、誘電膜表面だけに所望の薄膜を選択的に成長させる。出典：Intel（クリックで拡大）