多層配線のアスペクト比（AR）を高める2つの要素技術

アスペクト比（AR）の高い配線を実現する埋め込み技術。左端の写真は標準的なプロセスによる配線（ビアを含む）の断面観察像。配線内に空隙（ボイド（Void））が発生してしまう。その右隣は新しく開発したプロセスによる配線（ビアを含む）の断面観察像。銅（Cu）がきれいに埋め込まれている。右端は新しく開発したプロセスの概念図。銅がボトムアップで堆積する。出典：Intel（クリックで拡大）