ハーフブリッジドライバとGaN-HEMTを集積したSiP MasterGaNの詳細。ブートストラップ回路も内蔵していることも部品数削減および小型化に貢献している 出典:STマイクロエレクトロニクス 記事に戻る 永山準,EE Times Japan