SiC-MOSFETの電子移動度が倍増、20年ぶりに大幅向上 電子移動度はこれまで約20年にわたり、40cm2/Vsから大きく向上することがなかった 出典:京都大学(クリックで拡大) 記事に戻る 村尾麻悠子,EE Times Japan