SiC-MOSFETの電子移動度が倍増、20年ぶりに大幅向上

素子の信頼性評価。特に、電圧印加による電圧シフト量が、従来よりも大幅に抑えられている。「今回は、前回よりも過酷な条件での評価結果を見せることができた」と木本氏は述べている 出典：京都大学（クリックで拡大）