SiC-MOSFETの電子移動度が倍増、20年ぶりに大幅向上 n型SiC-MOSFET、p型SiC-MOSFETそれぞれで性能が向上した 出典:京都大学(クリックで拡大) 記事に戻る 村尾麻悠子,EE Times Japan