SiC-MOSFETの電子移動度が倍増、20年ぶりに大幅向上

今回の手法を用いると、界面欠陥密度が従来の5分の1に減少した。前回の手法では1.2×1010cm-2まで減少していたが、木本氏によると、1.2×1010cm-2という数値は検出限界に近く、2.5×1010cm-2とそれほど大きく変わるわけではないという。つまり、前回も今回も、従来に比べればかなり大幅に低減できているといえる 出典：京都大学（クリックで拡大）