SiC-MOSFETの電子移動度が倍増、20年ぶりに大幅向上

今回提案した手法。ポイント2とポイント3は、これまでも単独で用いられたことはあるが、いずれも良い成果が出なかった。今回は、ポイント1〜3までを併せて用いることで界面欠陥密度を低減できた 出典：京都大学（クリックで拡大）