新手法の酸化膜形成でSiC-MOSFETの性能が10倍に 木本氏らが提案する新たな手法では、まずSi薄膜を堆積する 出典:京都大学/東京工業大学(クリックで拡大) 記事に戻る 村尾麻悠子,EE Times Japan