新手法の酸化膜形成でSiC-MOSFETの性能が10倍に

理論計算に基づき、114通りのCの形態の安定性を調べた結果、界面には、残留炭素に起因する欠陥が生成されることが分かった 出典：京都大学／東京工業大学（クリックで拡大）