新手法の酸化膜形成でSiC-MOSFETの性能が10倍に C(炭素)の行方が、欠陥の正体解明のカギを握ると仮定した 出典:京都大学/東京工業大学(クリックで拡大) 記事に戻る 村尾麻悠子,EE Times Japan