新手法の酸化膜形成でSiC-MOSFETの性能が10倍に

Si-MOSFET／SiC-MOSFETにおける酸化膜の生成方法。SiC-MOSFETでは、酸化膜生成後に猛毒のNOガスで界面を処理することで、欠陥のレベルが「少しマシ」になるという 出典：京都大学／東京工業大学（クリックで拡大）