新手法の酸化膜形成でSiC-MOSFETの性能が10倍に

SiC-MOSFETでは、SiCと酸化膜の界面に多数の欠陥が存在する。これが、SiC-MOSFETの性能を制限している 出典：京都大学／東京工業大学（クリックで拡大）