二酸化バナジウム、強磁場で絶縁体から金属に変化

左はV1-xWxO2(x=0.06)薄膜(膜厚15nm、TiO2基板)のレーザー波長1.977μmによる光透過強度の磁場依存性、右はV1-xWxO2(x=0、0.036、0.06)薄膜における、吸収係数αの相対変化量の磁場依存性 (クリックで拡大) 出典:東京大学、岡山大学

左はV1-xWxO2(x=0.06)薄膜(膜厚15nm、TiO2基板)のレーザー波長1.977μmによる光透過強度の磁場依存性、右はV1-xWxO2(x=0、0.036、0.06)薄膜における、吸収係数αの相対変化量の磁場依存性 (クリックで拡大) 出典:東京大学、岡山大学