東京大、IGZOトランジスタとRRAMを3次元集積

三層積層したRRAMの各層における低抵抗状態と高抵抗状態の累積確率分布（左）、書き換え耐性（中央）および、保持時間特性（右） （クリックで拡大） 出典：東京大学