2枚の半導体ダイを積層しながら、1.1mmと薄いフォトダイオードを実現

開発した赤外線フォトダイオード(PD)の製造工程。左はSi PDダイに関する工程。右は全体の組み立て工程。出典:京都セミコンダクター(クリックで拡大)

開発した赤外線フォトダイオード(PD)の製造工程。左はSi PDダイに関する工程。右は全体の組み立て工程。出典:京都セミコンダクター(クリックで拡大)