2枚の半導体ダイを積層しながら、1.1mmと薄いフォトダイオードを実現

開発した赤外線フォトダイオード(PD)の組み立て模式図。パッケージ基板の上にInGaAs PDダイを載せ、その上にSi PDダイをかぶせる。さらに、モールド樹脂で封止する。出典:京都セミコンダクター(クリックで拡大)

開発した赤外線フォトダイオード(PD)の組み立て模式図。パッケージ基板の上にInGaAs PDダイを載せ、その上にSi PDダイをかぶせる。さらに、モールド樹脂で封止する。出典:京都セミコンダクター(クリックで拡大)