2枚の半導体ダイを積層しながら、1.1mmと薄いフォトダイオードを実現

開発した赤外線フォトダイオード「KPMC29（KP-2 Two-tone PD）」の構造図。黄色い矢印は光の入射方向。1100nmよりも短い波長の光をSi PDは吸収し、それより長い波長の光はSi PDダイを透過してInGaAs PDに入射する。出典：京都セミコンダクター（クリックで拡大）