2枚の半導体ダイを積層しながら、1.1mmと薄いフォトダイオードを実現

従来品（左上）と開発品（右下）の体積の比較。左上の従来品は、InGaAs PDダイの上にSi PDダイを積層している。2つのダイの間には絶縁体であるスペーサーを挿入してある。大きさは直径9.2mm×高さ3.7mm（挿入実装用リード部分を除く）。右下の開発品は、パッケージ基板の上にInGaAs PDダイを搭載し、さらにへこみのあるSi PDダイを載せている。SiダイのへこみにInGaAsダイが納まるので、InGaAsダイの高さはゼロとみなせる。出典：京都セミコンダクター（クリックで拡大）