「VLSIシンポジウム2020」は初のオンライン開催に

左=300mm基板上にGaNとSiトランジスタを形成/右=65nm CMOSとシリコンフォトニクスで実現するA-Dコンバーター 出典:VLSIシンポジウム委員会(クリックで拡大)

左=300mm基板上にGaNとSiトランジスタを形成/右=65nm CMOSとシリコンフォトニクスで実現するA-Dコンバーター 出典:VLSIシンポジウム委員会(クリックで拡大)