画素形状を1／1000以下にする超解像現象を発見

左は軟X線（800eV）で励起したCe：LSOの発光（青色）とSTEDレーザー（緑色）、中央は破線AB間での光強度プロファイル、右は発光点径／ビーム径比の光強度比変化 （クリックで拡大） 出典：東北大学他