1個のパッケージでシステムを実現するSiP

2.XD実装技術や3D実装技術などを駆使したSiP（シリコンインパッケージ）の例。左上はシリコンインターポーザにTSVを形成した構造。左中央はRDLだけをインターポーザとした構造。信頼性を維持するためにシリコンダイをモールド樹脂で、RDLをヒートスプレッダで封止している。左下はビルドアップ基板の表面に微細配線層を薄膜プロセスで形成してインターポーザを不要にした構造。右上はビルドアップ基板の最上部にシリコンの小片を埋め込んで隣接するシリコンダイ同士を接続した構造。右中央はガラス基板に貫通電極を形成してインターポーザとした構造。右下はDRAMチップをTSVによって積層したモジュールを、TSV付きインターポーザに搭載した構造である。出典：JEITA（クリックで拡大）