窒素注入で低抵抗を実現したトレンチ型SiC-MOSFET

左＝「斜め注入」のイメージ図。「吹き付ける角度や量が鍵になる」と三菱電機は説明した／右＝開発の成果 出典：三菱電機（クリックで拡大）