窒素注入で低抵抗を実現したトレンチ型SiC-MOSFET 高濃度層を形成することで、トランジスタ間隔を狭くしても素子抵抗率を低く維持できる 出典:三菱電機(クリックで拡大) 記事に戻る 村尾麻悠子,EE Times Japan