窒素注入で低抵抗を実現したトレンチ型SiC-MOSFET 今回開発したトレンチ型SiC-MOSFETに採用した電界緩和構造 出典:三菱電機(クリックで拡大) 記事に戻る 村尾麻悠子,EE Times Japan