SiCパワーデバイスがモビリティの電動化を加速

電車のVVVFインバーターにおける損失の比較。左はSiのIGBTとダイオードをスイッチング素子としたもの。中央はダイオードをSiからSiCに変更したもの。右はIGBTをSiCのMOSトランジスタに変更するとともに、ダイオードをSiCに変更したもの。出典：JEITA