ダイヤモンド基板で放熱性を大幅に向上したGaN-HEMT 開発したGaN-HEMTによって、GaN-HEMTを適用できる用途が拡大できるとする。なお、今回開発したGaN-HEMTのターゲット周波数は4GHz帯なので、より高い周波数に適用するのであれば、構造をチューニングする必要があると三菱電機は説明した 出典:三菱電機(クリックで拡大) 記事に戻る 村尾麻悠子,EE Times Japan