ダイヤモンド基板で放熱性を大幅に向上したGaN-HEMT 左=GaN-HEMTの発熱密度は、最大で太陽の表面と同じレベルになるという/右=Si/SiC基板を単結晶ダイヤモンド基板に置き換えることで、放熱しやすくする 出典:三菱電機(クリックで拡大) 記事に戻る 村尾麻悠子,EE Times Japan