表面欠陥密度を半減させたSiCエピウエハーを開発

従来の低欠陥グレードSiCウエハー「「ハイグレードエピ」（HGE）と、今回開発した第2世代品（HGE-2G）の比較 （クリックで拡大） 出典：昭和電工