半導体業界のトレンドは「3次元化」が明確に VLSI 2019 図7 imecが発表した5nmクラスのトランジスタ 出典:Min-Soo KIM et al, imec,” 12-EUV Layer Surrounding Gate Transistor (SGT) for Vertical 6-T SRAM: 5-nm class Technology for Ultra-Density Logic Devices, VLSI2019より引用(クリックで拡大) 記事に戻る 湯之上隆(微細加工研究所),EE Times Japan