東大生研、大容量＆低消費電力のFeFETを開発

3次元積層型IGZOチャネル強誘電体HfO2FeFETの模式図（左）／ポリシリコンチャネルとIGZOチャネルのFeFETの特徴比較（右）IGZOチャネルを用いることで、界面層形成を抑制でき、電荷トラップを抑え、高移動度を実現できる。（クリックで拡大）出典：東京大学生産技術研究所