次世代メモリ技術の最有力候補はPCMとMRAM、ReRAM コンピュータのメモリ/ストレージと遅延時間(レイテンシ)の関係。DRAMとNANDフラッシュメモリのギャップが約4桁と大きい。出典:MKW Venture Consulting, LLC(クリックで拡大) 記事に戻る 福田昭,EE Times Japan