「EVや産業用途でGaNを見直すべき」 GaN Systems CEO

左＝GaNを使ったトラクションインバーター向けのトポロジー。図の右側が、800Vバッテリー向けの「Tタイプ」。耐圧1200VのIGBT2個と、同650VのGaN2個を組み合わせている。電力損失がSiCとほぼ同じレベルまで抑えられている／右＝ブースに展示されていた「Tタイプ」の基板。サイズは約8cm角（クリックで拡大）