VLSIシンポジウム 2019 開催概要を発表

VLSI技術シンポジウム注目論文の概要（2） （クリックで拡大） 出典：VLSIシンポジウム委員会左＝GNOIを用いた絶縁耐圧の高いGaN HEMT右＝7nm世代技術のEUVによる信頼性改善