10nmで苦戦するIntel、問題はCo配線とRuバリアメタルか 図7 tCoSFBによるバリアメタルによりCuの微細配線がCo配線より配線抵抗が小さくなることを示した資料 出典:T.Nogami(IBM)「VLSI 2017」の資料より(クリックで拡大) 記事に戻る 湯之上隆(微細加工研究所),EE Times Japan