絶縁膜の埋め込みと平坦化が、複雑な形状の加工を支える 3D NANDフラッシュメモリの断面構造図と、埋め込んだ絶縁膜に対して「平坦化(Planarization)」工程を実施する部分(橙色の実線で囲んだ部分、上方は拡大図) (クリックで拡大) 出典:Applied Materials 記事に戻る 福田昭,EE Times Japan