垂直方向に並んだセルトランジスタを一気に作る 3D NANDフラッシュ技術のメモリセルアレイ構造。左下はセルアレイ全体の鳥瞰図。中央はセルストリングとメモリセル(セルトランジスタ)の断面構造図。右端はセルアレイとセルストリングの一部を切断した構造図。出典:Applied Materials(クリックで拡大) 記事に戻る 福田昭,EE Times Japan