最先端のドライエッチング技術−マルチ・パターニングとHARC−

図2：DRAMと3次元NANDの深孔（HARC）のAR比（クリックで拡大） 出典：S-I Cho, et al.(Samsung Electronics), Dry Process Symposium 2017の発表を基に筆者作成